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Progettazione e prototipazione dei dispositivi utilizzando l’esclusiva pellicola piezoelettrica di Fujifilm

La profonda conoscenza di Fujifilm dei materiali piezoelettrici e delle tecnologie di deposizione, nonché la sua linea di prototipazione rapida dei dispositivi, ci consentono di progettare, costruire e testare rapidamente i dispositivi MEMS che soddisfano le tue esigenze

Vantaggi del materiale piezoelettrico di Fujifilm
  • Buona linearità della risposta allo spostamento
  • Nessun processo di polling richiesto
    Il dispositivo finito può essere azionato immediatamente. Anche se il dispositivo viene riscaldato al di sopra del punto di Curie, la sua risposta non subisce variazioni.
  • Altamente uniforme su wafer e da wafer a wafer

Pellicola piezoelettrica su wafer da 20,3 cm

Costante piezoelettrica elevata e durata eccellente
Questo grafico a barre confronta le costanti piezoelettriche della pellicola PZT caricata con Nb di Fujifilm, della pellicola PZT depositata per polverizzazione della Società A, della pellicola PZT depositata per polverizzazione della Società B e della pellicola PZT depositata tramite processo sol-gel della Società C. La PZT di Fujifilm ha una costante piezoelettrica d31 di 220, un valore più alto rispetto alle aziende A, B e C.
Questo grafico mostra le variazioni nella quantità di spostamento in relazione al numero di impulsi. Mostra che non vi è degradazione nello spostamento anche dopo 1011 impulsi.
Pellicola PZT proprietaria di FUJIFILM ad alto contenuto di Nb (brevettata)
La struttura cristallina della pellicola PZT caricata con Nb, le immagini SEM trasversali dei prodotti sfusi e le membrane sottili Fujifilm, e un diagramma della direzione di polarizzazione. La pellicola PZT caricata con Nb è dotata di niobio al centro del reticolo cristallino. A differenza dei prodotti sfusi, la struttura di questa membrana sottile è composta da colonne di cristallo nella direzione dello spessore del rivestimento, con direzione di polarizzazione allineata.