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Tecnologia MEMS

Projeto e prototipagem de dispositivos com o uso do filme piezoelétrico exclusivo da FUJIFILM

O profundo conhecimento da Fujifilm sobre materiais piezoelétricos e tecnologias de deposição, bem como a linha rápida de prototipagem de dispositivos, permite-nos projetar, construir e testar rapidamente dispositivos MEMS [Micro Electro Mechanical Systems (Sistemas microeletromecânicos)] que atendam às suas necessidades

Vantagens do material piezoelétrico da FUJIFILM
  • Boa linearidade da resposta de deslocamento
  • Não é necessário nenhum processo de poling
    O dispositivo acabado pode ser operado imediatamente. Mesmo aquecida acima da temperatura de Curie, a resposta do dispositivo não é alterada.
  • Altamente uniforme em uma lâmina e de lâmina para lâmina

Película piezoelétrica na lâmina de 8 polegadas (20,32 cm)

Alta constante piezoelétrica e excelente durabilidade
Este gráfico de barras compara as constantes piezoelétricas do PZT dopado com nióbio (Nb) da Fujifilm, o PZT bombardeado com íons da Empresa A, o PZT bombardeado com íons da Empresa B e o PZT sol-gel da Empresa C. O PZT [Plumbum Zirconate Titanate (Titanato Zirconato de Chumbo)] da Fujifilm tem uma constante piezoelétrica d31 de 220, o maior valor em comparação com as Empresas A a C.
Este gráfico mostra as alterações na quantidade de deslocamento em relação ao número de pulsos. Ele mostra que não há degradação no deslocamento mesmo após 1011 pulsos.
Filme PZT de propriedade exclusiva altamente dopado com Nb da FUJIFILM (patenteado)
Mostram a estrutura do PZT dopado com Nb, microscopia eletrônica de varredura [SEM] transversais de produtos a granel e membranas da Fujifilm, diagrama da direção da polarização. O PZT dopado com Nb tem nióbio no centro da treliça de cristal em vez de zircônio ou titânio. Ao contrário dos produtos a granel, a estrutura da nossa membrana fina possui colunas de cristal na direção da espessura do revestimento, com a direção de polarização na mesma direção.