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Kerntechnologien

MEMS-Technologie

Gerätedesign und Prototypanfertigung unter Verwendung der einzigartigen piezoelektrischen Folie von FUJIFILM

Das umfassende Wissen über piezoelektrische Materialien und Abscheidungstechnologien bei Fujifilm sowie seine Rapid Device Prototyping-Linie ermöglichen es uns, MEMS-Bauteile, die Ihren Anforderungen entsprechen, schnell zu entwickeln, herzustellen und zu testen

Vorteile des piezoelektrischen Materials von FUJIFILM
  • Gute Linearität der Verschiebung
  • Kein Polierungsprozess erforderlich
    Fertiges Gerät kann sofort bedient werden. Selbst bei Erwärmung über die Curie-Temperatur hinaus bleibt die Reaktion des Geräts unverändert.
  • Sehr gleichmäßig über einen Wafer und Wafer-zu-Wafer

Piezoelektrische Folie auf 8-Zoll-Wafer

Hohe piezoelektrische Konstante und hervorragende Haltbarkeit
Dieses Balkendiagramm vergleicht die piezoelektrischen Konstanten des Nb-dotierten PZT von Fujifilm, des gesputterten PZT von Unternehmen A, des gesputterten PZT von Unternehmen B und des Sol-Gel-PZT von Unternehmen C. Das PZT von Fujifilm hat eine piezoelektrische Konstante d31 von 220 und damit den höchsten Wert im Vergleich zu den Unternehmen A bis C.
Dieses Diagramm zeigt die Änderungen des Verschiebungsbetrags in Abhängigkeit von der Anzahl der Impulse. Es zeigt auf, dass es auch nach 1011 Impulsen keine Verschlechterung der Verschiebung gibt.
Die firmeneigene hoch Nb-dotierte FUJIFILM PZT-Folie (patentiert)
Hier werden die Kristallstruktur von Nb-dotiertem PZT, die REM-Querschnittsbilder von Massenprodukten und den Membranen von Fujifilm sowie ein Diagramm der Polarisationsrichtung dargestellt. Bei Nb-dotiertem PZT ist in der Mitte des Kristallgitters Niob anstelle von Zirkonium oder Titan. Im Gegensatz zu Massenprodukten besteht die Struktur unserer dünnen Membran aus Kristallsäulen, die sich in Richtung der Schichtdicke erstrecken, wobei die Polarisationsrichtung gleichgerichtet ist.