Россия
Главная страница О компании Научные исследования и разработки Технологии Ключевые технологии МЭМС-технология

Ключевые технологии

МЭМС-технология

Проектирование и прототипирование устройств с использованием уникальной пьезоэлектрической пленки FUJIFILM

Глубокие знания Fujifilm в области пьезоэлектрических материалов и технологий осаждения, а также линия для ускоренного прототипирования устройств позволяют нам быстро проектировать, создавать и тестировать устройства МЭМС, отвечающие вашим потребностям

Преимущества пьезоэлектрического материала FUJIFILM
  • Оптимальная линейность отклика при смещении
  • Процесс поляризации не требуется
    Эксплуатацию готового устройства можно начинать незамедлительно. Даже при нагреве выше температуры Кюри реакция устройства остается неизменной.
  • Высокая степень однородности по всей пластине и от пластины к пластине

Пьезоэлектрическая пленка на 8-дюймовой пластине

Высокая пьезоэлектрическая постоянная и превосходная долговечность
На этой гистограмме сравниваются пьезоэлектрические константы легированной ниобием PZT от Fujifilm, PZT с напылением от компании A, PZT с напылением от компании B и PZT с золь-гелевым покрытием от компании C. Пьезоэлектрическая постоянная d31 PZT от Fujifilm составляет 220, что является самым высоким значением по сравнению с компаниями A–C.
На этом графике показаны изменения величины смещения в зависимости от количества импульсов. Он показывает отсутствие ухудшения смещения даже после 1011 импульсов.
Фирменная пленка PZT от FUJIFILM с высоким содержанием ниобия (запатентованная)
Здесь показана кристаллическая структура PZT, легированной ниобием, СЭМ-изображения поперечного сечения серийных изделий и тонких мембран Fujifilm, а также схема направления поляризации. Легированная PZT содержит ниобий в центре кристаллической решетки, вместо циркония или титана. В отличие от серийной продукции, структура тонкой мембраны состоит из кристаллических столбцов, выстраивающихся в направлении толщины покрытия, и плоскость поляризации выровнена в том же направлении.