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Diseño y creación de prototipos de dispositivos con la exclusiva película piezoeléctrica de FUJIFILM

El profundo conocimiento sobre materiales piezoeléctricos y tecnologías de deposición que posee Fujifilm, así como su línea rápida de creación de prototipos de dispositivos, nos permiten diseñar, fabricar y probar rápidamente dispositivos MEMS adaptados a cada necesidad

Ventajas del material piezoeléctrico de FUJIFILM
  • Buena linealidad de respuesta de desplazamiento
  • No se requiere ningún proceso de purificación (poling)
    El dispositivo acabado se puede utilizar inmediatamente. Incluso calentado por encima de la temperatura de Curie, la respuesta del dispositivo permanece inalterada.
  • Altamente uniforme en una oblea y oblea a oblea

Película piezoeléctrica en oblea de 20,3 cm

Alta constante piezoeléctrica y excelente durabilidad
Este gráfico de barras compara las constantes piezoeléctricas del substrato PZT dopado con Nb, del PZT pulverizado de la Empresa A, del PZT pulverizado de la Empresa B y del PZT de sol-gel de la Empresa C. El PZT de Fujifilm muestra una constante piezoeléctrica d31 de 220, el valor más alto en comparación con las empresas A, B y C.
Este gráfico indica los cambios en el valor de desplazamiento en relación con el número de pulsos. Muestra que no hay degradación en el desplazamiento incluso después de 1011 pulsos.
Película PZT con alto dopaje con Nb, patentada de FUJIFILM
Muestran la estructura cristalina de la PZT con dopaje Nb, imágenes SEM transversales de productos a granel convencionales, membranas finas Fujifilm y esquema de dirección de polarización. La PZT con dopaje Nb tiene niobio en el centro de la red cristalina, en lugar de circonio o titanio. La estructura de nuestra membrana fina está formada por columnas cristalinas en la dirección del grosor del recubrimiento, con polarización alineada en dicha dirección, no como los productos a granel.