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액체로 채워진 눈금 실린더

프론트 엔드 CMP 슬러리

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FUJIFILM Electronic Materials 프론트 엔드 CMP 슬러리는 high-K 금속 게이트, 고급 유전체, 3차원 FinFET 트랜지스터 및 자체 정렬 접점과 같은 고급 트랜지스터 기술을 활용하는 장치에 맞게 설계되었습니다. 광범위한 공정 및 기술 요건을 충족하기 위해 다양한 제품 플랫폼을 사용할 수 있습니다.

제품 요약

  • 다양한 기준치 소재 제거 선택비를 지닌 여러 플랫폼
  • 각 플랫폼 내에서 조정 가능한 선택비
  • 설계로 인한 매우 낮은 결함률
  • 경쟁력 있는 소유 비용

이용 가능한 프런트 엔드 CMP 슬러리

  • FSL1600C
    • 로직 & 메모리용 게이트 라스트/교체 금속 게이트(RMG) 집적용 차세대 POP(Poly Open Polish) 슬러리
    • 질화물, 산화물의 비선택적 제거 기준치 및 폴리실리콘에서 우수한 연마 정지
    • 모든 세 가지 유전체의 연마 속도와 연마 선택비 조정 가능
    • 고순도 콜로이드 실리카 및 초고순도 화학 물질로 초저결함 구현
    • 매력적인 소유 비용 구현을 위한 농축 배합
  • FSL1531C
    • 다양한 유전체 및 금속에서 연마 정지를 갖는 폴리실리콘 슬러리
    • 초고속 및 중간 폴리실리콘 속도 가능. 높은 Ti/TiN 라이너 속도
    • TMAH(수산화 테트라메틸암모늄) 없는 EHS 양성 화학 및 고순도 콜로이드 실리카로 매우 낮은 결함률 구현
    • 매력적인 소유 비용을 위해 고도로 희석 가능한 슬러리 제품 제공
  • FSL1700C
    • 질화규소 상에서 연마 정지가 있는 산화규소 슬러리
    • 시장을 선도하는 ‘실리카 기반’의 얕은 트렌치 절연(STI) 슬러리
    • 업계 변화 – STI 표준을 세리아에서 실리카로 변경
    • 블랭킷 및 패턴 웨이퍼에서 실리콘 질화물의 매우 우수한 연마 정지
    • 다른 금속(텅스텐, 코발트) 또는 유전체(폴리실리콘) 막에서 추가 연마 정지가 가능한 슬러리
    • 고순도 콜로이드 실리카 사용으로 결함률이 매우 낮음(세리아 대비)
    • 고급 로직 및 메모리용 STI 응용 분야에서 결함률 개선을 위한 중요 슬러리
    • 매력적인 소유 비용(CoO) 구현을 위한 농축 배합
  • FSL1820C
    • 산화규소에서 연마 정지가 있는 질화규소 슬러리
    • SAC Cap, HM, Etch-Stop 등과 같은 ‘리버스–STI’ 응용 분야를 위한 질화물 슬러리.
    • 다른 금속(텅스텐, 코발트) 또는 유전체(폴리실리콘) 막에서 추가 연마 정지가 가능한 슬러리
    • 블랭킷 및 패턴 웨이퍼에서 산화규소에 대한 질화규소의 높은 선택비
  • FSL1400C
    • 유전체에 대한 비선택적 연마 속도를 적용하는 금속(티타늄, 지르코늄, 하프늄, 알루미늄) 산화물 슬러리
    • 금속 산화물 및 실리콘 기반 유전체의 조정 가능한 연마 속도 및 선택비
    • 높은 필름 연마 속도를 실현하기 위한 독자적인 제거 속도 향상 화학 물질
    • 초저결함 및 매력적인 CoO를 위한 고순도 콜로이드 실리카 기반의 희석 가능한 배합
  • FSL1450C
    • 유전체 상에서 연마 정지를 갖는 금속(티타늄, 지르코늄, 하프늄, 알루미늄) 산화물 슬러리
    • 질화규소, 산화물, SiGe 및 폴리실리콘 막에서 양호한 연마 정지
    • 금속 산화물 및 실리콘 기반 유전체의 조정 가능한 연마 속도 및 선택비
    • 저결함 및 매력적인 CoO를 위한 고순도 콜로이드 실리카 기반의 희석성 높은 배합
  • FSL3400C
    • 유전체 상의 연마 정지 또는 유전체에 비선택적인 연마를 적용하는 텅스텐 슬러리
    • 유전체 용도에서 연마 정지를 위한 질화규소, 산화물, SiGe 및 폴리실리콘 막의 우수한 연마 정지
    • 비선택적 응용 분야를 위한 텅스텐 및 실리콘 기반 유전체의 연마 속도 및 선택비 조정 가능
    • 초저결함을 위한 고순도 콜로이드 실리카 기반의 희석성 높은 배합

자세한 내용은 당사에 문의하세요.