- 다양한 기준치 소재 제거 선택비를 지닌 여러 플랫폼
- 각 플랫폼 내에서 조정 가능한 선택비
- 설계로 인한 매우 낮은 결함률
- 경쟁력 있는 소유 비용
- FSL1600C
- 로직 & 메모리용 게이트 라스트/교체 금속 게이트(RMG) 집적용 차세대 POP(Poly Open Polish) 슬러리
- 질화물, 산화물의 비선택적 제거 기준치 및 폴리실리콘에서 우수한 연마 정지
- 모든 세 가지 유전체의 연마 속도와 연마 선택비 조정 가능
- 고순도 콜로이드 실리카 및 초고순도 화학 물질로 초저결함 구현
- 매력적인 소유 비용 구현을 위한 농축 배합
- FSL1531C
- 다양한 유전체 및 금속에서 연마 정지를 갖는 폴리실리콘 슬러리
- 초고속 및 중간 폴리실리콘 속도 가능. 높은 Ti/TiN 라이너 속도
- TMAH(수산화 테트라메틸암모늄) 없는 EHS 양성 화학 및 고순도 콜로이드 실리카로 매우 낮은 결함률 구현
- 매력적인 소유 비용을 위해 고도로 희석 가능한 슬러리 제품 제공
- FSL1700C
- 질화규소 상에서 연마 정지가 있는 산화규소 슬러리
- 시장을 선도하는 ‘실리카 기반’의 얕은 트렌치 절연(STI) 슬러리
- 업계 변화 – STI 표준을 세리아에서 실리카로 변경
- 블랭킷 및 패턴 웨이퍼에서 실리콘 질화물의 매우 우수한 연마 정지
- 다른 금속(텅스텐, 코발트) 또는 유전체(폴리실리콘) 막에서 추가 연마 정지가 가능한 슬러리
- 고순도 콜로이드 실리카 사용으로 결함률이 매우 낮음(세리아 대비)
- 고급 로직 및 메모리용 STI 응용 분야에서 결함률 개선을 위한 중요 슬러리
- 매력적인 소유 비용(CoO) 구현을 위한 농축 배합
- FSL1820C
- 산화규소에서 연마 정지가 있는 질화규소 슬러리
- SAC Cap, HM, Etch-Stop 등과 같은 ‘리버스–STI’ 응용 분야를 위한 질화물 슬러리.
- 다른 금속(텅스텐, 코발트) 또는 유전체(폴리실리콘) 막에서 추가 연마 정지가 가능한 슬러리
- 블랭킷 및 패턴 웨이퍼에서 산화규소에 대한 질화규소의 높은 선택비
- FSL1400C
- 유전체에 대한 비선택적 연마 속도를 적용하는 금속(티타늄, 지르코늄, 하프늄, 알루미늄) 산화물 슬러리
- 금속 산화물 및 실리콘 기반 유전체의 조정 가능한 연마 속도 및 선택비
- 높은 필름 연마 속도를 실현하기 위한 독자적인 제거 속도 향상 화학 물질
- 초저결함 및 매력적인 CoO를 위한 고순도 콜로이드 실리카 기반의 희석 가능한 배합
- FSL1450C
- 유전체 상에서 연마 정지를 갖는 금속(티타늄, 지르코늄, 하프늄, 알루미늄) 산화물 슬러리
- 질화규소, 산화물, SiGe 및 폴리실리콘 막에서 양호한 연마 정지
- 금속 산화물 및 실리콘 기반 유전체의 조정 가능한 연마 속도 및 선택비
- 저결함 및 매력적인 CoO를 위한 고순도 콜로이드 실리카 기반의 희석성 높은 배합
- FSL3400C
- 유전체 상의 연마 정지 또는 유전체에 비선택적인 연마를 적용하는 텅스텐 슬러리
- 유전체 용도에서 연마 정지를 위한 질화규소, 산화물, SiGe 및 폴리실리콘 막의 우수한 연마 정지
- 비선택적 응용 분야를 위한 텅스텐 및 실리콘 기반 유전체의 연마 속도 및 선택비 조정 가능
- 초저결함을 위한 고순도 콜로이드 실리카 기반의 희석성 높은 배합
자세한 내용은 당사에 문의하세요.
