Türkiye
Baryum Ferrit

Baryum Ferrit: Genel Bakış

NEW
Baryum Ferrit

Baryum Ferrit (BaFe), manyetik sinyal kaybı yaşanmadan kayıt yoğunluğunu artırmak için büyüklüğü önemli oranda azaltılabilecek yeni bir manyetik parçacık türüdür:

  • Fujifilm’in LTO 7 ve gelecek nesil LTO’ları ince ve düzgün kaplamalı manyetik katman için NANOCUBIC teknolojisi ile BaFe parçacıklarını kullanacaktır.
  • BaFe halihazırda Oracle’ın T10000 ve IBM’in 3592 bant kartuşları gibi kurumsal ürünlerde kullanılmaktadır ve bu ürünlerde kendini kanıtlamıştır.
  • Fujifilm patentli teknoloji.
Nanotech Pasta Grafiği

NANOCUBIC teknolojisi aşağıdaki üç kategoriden oluşur: NANO Parçacık, NANO Dispersiyon ve NANO Kaplama.

  • Her teknoloji sürekli iyileştirme ve geliştirme süreçlerinden geçer
  • BaFe, NANO Parçacıkta en son teknolojidir
Nano kaplama
Metal ve Baryum Ferrit

Boyut

Mevcut LTO 5 metal parçacıkları (MP (G5)) yaklaşık 40 nm boyutundayken, BaFe parçacıkları yaklaşık 20 nm boyutundadır. Daha küçük boyut, çok daha yüksek kayıt yoğunluğu sağlayarak süper yüksek kapasiteli veri kartuşları sağlar.

Buna ek olarak, Fujifilm daha küçük BaFe parçacıkları geliştirmeyi başardı ve 2015 yılında IBM ile inç kare başına 123 milyar bit kayıt yoğunluğu sergiledi. Bu başarı, 220 terabayt sıkıştırılmamış veri tutabilen tek bir bant kartuşu geliştirmenin mümkün olduğunu ortaya koydu. Çok daha küçük bu BaFe parçacıkları, gelecekteki BaFe ürünlerine uygulanacaktır.

Pasifleştirme Katmanlı Manyetikleştirme Ekseni

MP İğnemsi Şekil

Metal parçacıkları oksidasyonu önlemek için koruyucu bir pasifleştirme kaplaması gerektirir. Pasifleştirme katmanı ayrıca elde edilebilecek parçacık boyutundaki azalmayı sınırlar. BaFe parçacıkları oksittir, bu nedenle pasifleştirme katmanına gerek yoktur. BaFe ile daha yüksek kararlılığa sahip daha küçük parçacıklar elde edilebilir.

MP (G5) parçacıkları iğnemsi bir şekle sahiptir. BaFe parçacıkları altıgen disk şeklindedir. Altıgen şekil çok daha iyi yönlendirme kontrolü ve daha düşük akı yoğunluğu sağlayarak daha yüksek sinyal/gürültü oranı sağlar.

Pasifleştirme Katmanı olmayan Manyetikleştirme

BaFe Altıgen Disk Şekli

Metal Parçacık

Metal Parçacık
(FeCo alaşımı) LTO 5

Günümüzdeki Baryum Ferritin

Baryum Ferrit
(BaO(Fe2O3)6 Oksit) Bugün

Geleceğin Baryum Ferritin’i

Baryum Ferrit
(BaO(Fe2O3)6 Oksit) Gelecekte

Bant yüzeyinin Elektron Mikroskobu görüntüsünün taranması: MP ve BaFe parçacıklarının görünümü, bant desteği üzerine kaplanmış şekildedir. Göreceli boyut ve şekil farklılıklarına dikkat edin.

MP Kaplama

MP (G5)

BaFe Kaplama

BaFe

BaFe Parçacık Oryantasyonu

BaFe parçacık özellikleri daha iyi oryantasyon kontrolü ve dolayısıyla daha yüksek Sinyal -/Gürültü Oranı (SNR) sağlar. Gelecekteki BaFe parçacıklarına dik oryantasyon uygulanacaktır.

BaFe Kayıt Özellikleri

BaFe Parçacık Karşılaştırma Tablosu

BaFe parçacık bandının çıkış SNR’si, MP (G5) bandından çok daha iyidir ve daha yüksek doğrusal yoğunluk ve kayıt kapasitesi sağlar.

BaFe’ye dayalı Veri Depolama Sıklığı

Baryum Ferrit, metal parçacıklara kıyasla daha iyi sıklık özelliklerine sahiptir ve bu da kayda değer bir şekilde artan kayıt kapasitesi marjı ile sonuçlanır. Bu nedenle, tekrarlanan kullanımdan sonra sürücünün kayıt kafasının kapasitesi azalsa bile Fujifilm LTO 6’nın yazılması ve okunması beklenir.

BaFe Bozunum Tablosu

Oksitlenme, manyetik parçacık bozulmasıyla ortaya çıkan olası veri kaybının nedenlerinden biridir. Ancak Baryum Ferrit zaten oksitlenmiştir ve bu nedenle metal parçacıklara kıyasla çok daha uzun bir ömre sahiptir.

  • Fujifilm’in deneylerinde, BaFe gerçekçi depolama ortamı simülasyonlarına dayanmakta ve 30 yıldan uzun bir süredir güvenilirliğini kanıtlamaktadır.
  • MP, okuma/yazma performansında olumsuz bir etkiye sahip olmasa da 30 yıldan uzun bir süredir manyetik sinyalde hafif bozunum göstermektedir.