浏览本网站,即表示您同意我们使用隱私權政策中所述的cookies及其他技术。

台灣
首頁 關於我們 研究與發展 技術 核心技術 MEMS 技術

核心技術

MEMS 技術

運用富士軟片獨特的壓電薄膜進行設計/製造機械元件的技術

富士軟片結合壓電材料、奈米製程及高精密裝配裝配的技術,實踐快速設且符合需求的 MEMS 設計及機械元件製造

富士軟片壓電材料的特點
  • 良好的電壓位移反應
  • 無需極化製程
    可在成模後立即使用,即使加熱至居禮溫度(340°C),其特性仍可恢復。
  • 晶圓和晶圓間高度一致性

8 吋晶圓上的壓電薄膜

高壓電常數和卓越的耐用性
此長條圖比較富士軟片摻雜鈮 (Nb) 的鋯鈦酸鉛 (PZT)、A 公司濺鍍 PZT、B 公司濺鍍 PZT 和 C 公司溶膠凝膠 PZT 的壓電常數。富士軟片的 PZT 具有 220 的壓電常數 d31,是 A 到 C 公司間的最高值。
此圖表顯示相對於脈衝數的位移量變化。它顯示即使經過 1011 次脈衝,也不會降解。
富士軟片專有的高濃度 Nb 之PZT 薄膜(專利)
這些顯示摻雜 Nb 的PZT 晶體結構、傳統散裝產品和富士軟片薄膜的截面 SEM 影像,以及極化方向的示意圖。摻雜鈮 PZT 的鈮,而非鋯或鈦插入晶體晶格的中心。與散裝產品不同,我們的薄膜結構由晶體柱組成,晶體柱朝塗層厚度的方向延伸,偏光方向對齊相同的方向。