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ホーム ビジネスのお客さま 半導体材料 フォトレジスト EUV(13.5nm)
複数の光に照らされる半導体材料であるウエハーのイメージ画像。

フォトレジスト

EUV(13.5nm) : 概要

ネガ型現像用EUV材料

EUV露光プロセスに求められる回路パターンの微細化を実現するネガ型のEUVレジスト。
高純度有機溶剤を用いて現像時のレジストの膨潤と欠陥を抑え、シャープで微細な回路パターンの形成が可能なNTI(Negative Tone Imaging =ネガ型)現像液 。

FUJIFILM EUV NTI キー技術
半導体製造プロセスであるレジスト塗布、露光、ベーク、現象において、富士フイルムのキー技術が2点活用されている説明イメージ。EUVレジストのPCP技術は、塗布工程において光酸発生であるPAGと光分解性クエンチャーであるPDQを結合させた新規構造を合成し、膜中の分子の均一分布を達成する。現像工程では、レジスト膜の現像液による膨潤を抑制するNTI現像液DP819Aがある。これはDP001(nBA)と疎水性溶媒Xを混合し、選択的揮発によりスピン乾燥時の膨潤を抑制する。
  • *1 Photo Decomposable Quencher
製品ラインアップ
  • EUV NTI CAR
  • EUV NTI 現像液 DP819A
特長
  • レジストの反応制御機能を持つ光分解性クエンチャー連結型光酸発生剤(PCP)を導入。露光時の膜中の酸濃度を均一に保つことで、従来の化学増幅型レジストの課題であったLWRを低減。
  • 高純度有機溶剤を用いたNTI現像液で現像時のレジストの膨潤と欠陥を抑え、高いパターニング精度を実現。