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- 繊細な銅の特性に対する優れた腐食保護性能と非常に低い欠陥率を実現
- Low-k（低誘電率）およびULK（超低誘電率）誘電体、エッチングハードマスク、およびARC（反射防止膜）層を含む幅広い材質に対応
- 従来のバリア膜とコバルト（Co）ライナー膜を迅速に除去
- 独立したコンポーネントにより、膜の研磨選択比の調整とカスタマイズが可能で、最終的なトポグラフィー補正と表面仕上げに優れる
- コストメリット – 濃縮配合により、POUでのコスト削減が可能
- BSL8180C
- 幅広い種類の集積回路用に設計され、コバルト（Co）が存在する場合にも使用可能なアルカリ性バリアスラリー
- 銅（Cu）およびLow-k/ULK材料の研磨速度を幅広く調整可能。
- 高純度コロイドシリカを使用。
- 超低欠陥数。
- ソフトパッド使用時に優れた性能を発揮。
- 濃縮処方により低価格を実現。
- BSL8400C
- 最先端のLowk絶縁膜向け設計された高濃度品
- 銅（Cu）およびLow-k/ULK材料の研磨速度を幅広く調整可能。
- 高純度コロイドシリカを使用。
- 超低欠陥数。
- ソフトパッド使用時に優れた性能を発揮。
- 濃縮処方により低価格を実現。
- BSL8250C
- ハード／ソフト両パッドに適した価格重視のコロイドシリカスラリー。
- ロジック、メモリー、および厚いTEOSを含む幅広いデバイス用で、バリア膜と絶縁膜の非常に高い研磨速度を有するが、銅（Cu）の研磨速度は調整可能。
- BSL8300C
- ルテニウム（Ru）ライナー研磨用に設計
- アルカリ性の高純度シリカ処方
- 高いルテニウム（Ru）研磨速度
- 銅（Cu）およびLow-k材料の研磨速度は調整可能。
- 希釈可能で低価格を実現。
- BSL86xxC
- 高純度コロイダルシリカを使用
- 超低欠陥数。
- 優れた平坦性に代表される低段差性能。
- 銅（Cu）ビアでも使用が実証された。
