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バリアメタル用CMPスラリー

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富士フイルムのバリアメタル用CMPスラリーは、銅の除去ステップ後露出したバリアメタルを除去し、ウェーハ表面全体のすべての膜を平坦化するように設計されています。

    • 繊細な銅の特性に対する優れた腐食保護性能と非常に低い欠陥率を実現
    • Low-k(低誘電率)およびULK(超低誘電率)誘電体、エッチングハードマスク、およびARC(反射防止膜)層を含む幅広い材質に対応
    • 従来のバリア膜とコバルト(Co)ライナー膜を迅速に除去
    • 独立したコンポーネントにより、膜の研磨選択比の調整とカスタマイズが可能で、最終的なトポグラフィー補正と表面仕上げに優れる
    • コストメリット – 濃縮配合により、POUでのコスト削減が可能

製品ラインアップ

  • BSL8180C 
    • Low-k誘電体による様々な材質に対する高い選択性のあるアルカリ性コバルトバリアスラリー
    • 銅およびLow-k/ULK材料の除去速度に対する幅広い調整能力
    • 高純度コロイドシリカ
    • 超低欠陥率
    • ソフトパッド上での優れた性能
    • 濃縮配合により、低コストを実現
  • BSL8400C 
    • 最新のLow-k(低誘電率)誘電体用に設計された高濃度バージョン
    • 銅およびLow-k/ULK材料の除去速度に対する幅広い調整能力
    • 高純度コロイドシリカ
    • 超低欠陥率
    • ソフトパッド上での優れた性能
    • 濃縮配合により、低コストを実現
  • BSL8250C
    • ハードとソフト両方のパッドに適したコスト競争力のあるコロイドシリカスラリー
    • ロジック、メモリー、およびデバイスを含む厚いTEOS(テトラエトキシシラン)など、幅広い用途に適した調整可能な銅研磨速度により、非常に高いバリアおよび誘電体の除去速度を実現
  • BSL8300C
    • ルテニウム(Ru)ライナー研磨用に設計
    • アルカリ性pHの高純度シリカ配合
    • 高いルテニウム(Ru)除去速度
    • 調整可能な銅(Cu)およびLow-k材料の除去速度
    • コスト競争力のある希釈可能な配合

製品の概要および詳細については、当社までお問い合わせください。