- 高い除去速度、高い平坦化効率、低いトポグラフィー、低い欠陥率、および優れたオーバーポリッシュマージンを実現
- お客さま固有の目標性能に合わせて、処方の最適化を図ります。
- 一般的なバリア膜に対する高い選択比により、エンドポイント検出が容易になり、トポグラフィーを損なうことなくCu残留物の除去が可能
- Cu研磨では、プロセスの開発と制御を容易にするために強力なプレストニアン挙動を実現
- 非常に濃縮された配合により、低コストを実現
- 使いやすさ - 特別な洗浄剤やプロセス条件は必要なし
- CSL9044C
- メモリーとロジックを含む幅広い種類のデバイス用に開発。
- 銅（Cu）の用途に対し実績と定評がある製品。
- プロセススループットを最大化する高い研磨速度を提供。
- バリア膜に対する高い選択比。
- 低欠陥数。
- 銅（Cu）上の優れた洗浄性。
- 高い平坦化効率。
- 低ディッシングと低エロージョンの実現。
- 高濃縮化により価格競争力を実現。
- CSL9400C
- 最先端回路用に開発。
- 高い研磨速度でスループット最大化と銅（Cu）研磨を1プラテンに削減。
- バリア膜に対する高い選択性。
- 非常に低い欠陥数。
- 銅（Cu）上の優れた洗浄性。
- 低ディッシングとエロージョンを調整可能。
- ロジック、メモリ、厚膜金属研磨のさまざまな技術ノードに適している。
- CSL9500C
- ルテニウム（Ru）ライナーを含む最先端回路用に開発。
- プロセススループットを最大化する高い研磨速度を提供
- バリア膜に対する高い選択性。
- 超低欠陥数。
- 銅（Cu）上の優れた洗浄性。
- 低ディッシングとエロージョンを調整可能。
- 最先端の集積回路用に適している。
- CSL9215C
- 超厚膜金属用途向けに開発
- TSV（シリコン貫通電極）の銅（Cu）研磨のプロセススループットを最大化する非常に高い研磨速度。
- バリア膜に対する高い選択性。
- 低欠陥数。
- 銅（Cu）上の優れた洗浄性。
- TSV（シリコン貫通電極）の要求を満たすCu研磨の段差性能。
- CSL9280C
- グローバル金属層や先端パッケージングなどの後工程用に開発。
- 中～低段差で高いスループットを実現。
- バリア膜への優れた選択性で、Tiバリア膜にも使用可能。
- 低欠陥数。
- 優れた洗浄性。
- CSL9300C
- 先端の銅（Cu）用途に開発され、定評がある製品。
- ウェーハおよびチップ内で優れた性能
- 先端のバリア膜に対する高い選択性で使用が可能。
- 先端デバイスの欠陥数目標のために開発。
- 低ディッシングと低エロージョンを実現しつつ、優れた銅（Cu）上の洗浄性。
- 高い平坦化効率
