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- 高い除去速度、高い平坦化効率、低いトポグラフィー、低い欠陥率、および優れたオーバーポリッシュマージンを実現
- お客さま固有の目標性能に合わせて、処方の最適化を図ります。
- 一般的なバリア膜に対する高い選択比により、エンドポイント検出が容易になり、トポグラフィーを損なうことなくCu残留物の除去が可能
- Cu研磨では、プロセスの開発と制御を容易にするために強力なプレストニアン挙動を実現
- 非常に濃縮された配合により、低コストを実現
- 使いやすさ - 特別な洗浄剤やプロセス条件は必要なし
製品ラインアップ
- CSL9044C
- 最先端の回路を含むさまざまなデバイス向けに開発
- 銅の用途に対し実績があり定評のある製品
- プロセススループットを最大化する高い除去速度を提供
- バリア膜に対する高い選択比
- 低欠陥率
- 優れた銅洗浄能力
- 高い平坦化効率
- 低いディッシングとエロージョン
- 成熟したテクノロジーノードから、厚膜の金属層を含む最先端のノードに至るまで、幅広い用途に対応する堅牢なプロセスを開発可能
- CSL9400C
- 最先端の回路用に開発
- プロセススループットを最大化し、1プラテンに対する銅研磨を減らす高い除去速度
- バリア膜に対する高い選択比
- 非常に低い欠陥率
- 優れた銅洗浄能力
- 低く、なおかつ調整可能なディッシングとエロージョン
- ロジック、メモリ、厚膜の金属研磨など、さまざまなテクノロジーノードに適合
- CSL9500C
- ルテニウムライナーの集積など、最先端の回路向けに開発
- プロセススループットを最大化する高い除去速度を提供
- バリア膜に対する高い選択比
- 超低欠陥率
- 優れた銅洗浄能力
- 低く、なおかつ調整可能なディッシングとエロージョン
- 最先端の集積用途に最適
- CSL9215C
- 超厚膜金属用途に開発
- TSV（シリコン貫通電極）の銅除去のプロセススループットを最大化する非常に高い除去速度
- バリア膜に対する高い選択比
- 低欠陥率
- 優れた銅洗浄能力
- TSV（シリコン貫通電極）要件を満たす銅除去後のトポグラフィー
