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- ベースライン材料除去の選択比が異なる複数のプラットフォーム
- 各プラットフォーム内で調整可能な選択比
- 設計による非常に低い欠陥率
- 競争力のあるコスト
- FSL1600C
- ロジックとメモリーのゲートラスト／リプレースメントメタルゲート（RMG）集積用のPoly Open Polish（POP）スラリー。
- 窒化膜、酸化膜の非選択研磨が可能で、ポリシリコン上で優れた停止性能を有する。
- 絶縁膜全3種の研磨速度と研磨選択比は調整可能。
- 超低誘電率膜（Ultra low-k）用に高純度コロイドシリカと超高純度材料を使用。
- 濃度処方により、魅力的な価格を実現。
- FSL1531C
- 種々の絶縁膜および金属上で停止するポリシリコン用スラリー。
- 超高速または中程度のポリシリコン研磨速度が可能。Ti/TiNライナーの高い研磨速度。
- EHSに配慮したTMAHフリーの薬液で、高純度コロイドシリカが超低欠陥数を実現。
- 高希釈用処方により、魅力的な価格を実現。
- FSL1700C
- 窒化ケイ素上で停止する酸化ケイ素用スラリー。
- 市場をリードするシリカベースのSTI用スラリー
- STIの業界標準をセリアからシリカに変更
- ブランケットおよびパターンウェーハ上の窒化ケイ素で停止させる独自技術。
- さらにほかの金属（WやCoなど）や絶縁膜（ポリシリコンなど）上でも停止できるスラリー。
- 高純度コロイドシリカ使用により、非常に欠陥数が低い（対セリア）。
- 先端ロジックおよびメモリーのSTI用途における欠陥数改善に効果的なスラリー。
- 高濃度処方により、魅力的な価格を実現。
- FSL1820C
- 酸化ケイ素上で停止する窒化ケイ素用スラリー。
- SACキャップ、HM、エッチストップなどの「リバースSTI」用途の窒化物スラリー。
- さらにほかの金属（W、Coなど）や絶縁膜（ポリシリコンなど）上でも停止できるスラリー。
- ブランケットおよびパターンウェーハ上の酸化ケイ素に対し、高い窒化ケイ素選択性。
- FSL1400C
- 絶縁膜に対し非選択な研磨性能を有する金属（Ti、Zr、Hf、Al）酸化物用スラリー。
- 金属酸化物やシリコンベースの絶縁膜の研磨速度と選択比は調整可能。
- 独自の研磨速度強化成分により高速研磨を実現。
- 超低誘電率絶縁膜用に、高純度コロイドシリカベースで希釈用処方により魅力的な価格を実現。
- FSL1450C
- 絶縁膜上で停止する金属（Ti、Zr、Hf、Al）酸化物用スラリー。
- 窒化ケイ素、酸化物、SiGe、ポリシリコン膜上で良好な停止性能。
- 金属酸化物とシリコンベースの絶縁膜の研磨速度と選択性を調整可能。
- 低誘電率絶縁膜用に、高純度コロイドシリカベースの高希釈処方により魅力的な価格を実現。
