日本
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CMP（化学的と機械的の相乗作用による研磨)は、電子機器で使用されている高度な半導体デバイスまたは「マイクロチップ」の製造における重要なプロセスです。 -
バリアメタル用CMPスラリー
富士フイルムのバリアメタル用CMPスラリーは、銅の除去ステップ後露出したバリアメタルを除去し、ウェーハ表面全体のすべての膜を平坦化するように設計されています。
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次世代金属配線材料向けCMPスラリー
富士フイルムのコバルト用CMPスラリーは、高密度なコバルト配線研磨中にコバルトおよびバリア金属を研磨し、回路内のすべての膜を平坦化するように設計されています。
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フロントエンド用CMPスラリー
富士フイルムのフロントエンド用CMPスラリーは、High-Kメタルゲート、高度な誘電体、3次元FinFETトランジスタ、およびコンタクト用などの高度なトランジスタ技術を利用するデバイス向けに設計されています。
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ポストCMPクリーナー
富士フイルムのポストCMPクリーナーは、金属表面を保護しながら、粒子、微量金属および有機残留物を洗浄するように設計されています。
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パッケージング用CMPスラリー
富士フイルムエレクトロニクスマテリアルズのパッケージング用CMPスラリーは、異種チップの集積や3Dパッケージングに用いられる先端パッケージング材料の研磨用に設計。
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バフ洗浄液
富士フイルムエレクトロニクスマテリアルズのバフ洗浄液は、先端用途のために、パーティクルフリー、微量金属フリー、有機物フリーを達成するよう設計。
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